Le choix de la stabilité pour l'électronique de puissance
Le module transistor IGBT SKM100GB12T4G représente une référence majeure pour les systèmes nécessitant un découpage propre et rapide du courant. Sa structure robuste en boîtier scellé protège les composants internes contre l'humidité et les vibrations courantes dans les usines de production.
Caractéristiques de commutation et de protection
Équipé de puces de quatrième génération, ce module limite l'effet de surtension au blocage grâce à une inductance interne extrêmement faible.
Fiche technique simplifiée
| Paramètre d'usine | Spécification nominale |
|---|---|
| Référence complète | SKM100GB12T4 / SKM100GB12V |
| Type de boîtier | SEMITRANS 2 à broches vissées |
| Courant de crête collecteur | 200 A (impulsionnel) |
| Configuration interne | 2 IGBT avec diodes de protection rapides |
La régularité des cycles de fabrication dépend directement de la qualité de vos composants de puissance.
L'utilisation de ce module garantit une excellente répartition de la chaleur vers les systèmes de refroidissement par air ou par eau, évitant ainsi le phénomène d'emballement thermique sur les lignes de tension continue de 600V à 1000V.
