Technologie de pointe avec le module IGBT SKM75GB128D
Le module SKM75GB128D représente le cœur de l'électronique de puissance moderne pour les machines de production. Ce type de semi-conducteur combine les avantages des transistors de commande MOSFET et la capacité de transport de courant des transistors bipolaires traditionnels, offrant un excellent rendement global.
Conception pour environnements sévères
Destiné aux applications de forte puissance, ce module résiste aux variations de charge importantes fréquentes dans l'industrie lourde. Sa plaque de base isolée thermiquement facilite l'évacuation des calories vers les systèmes de refroidissement par air forcé ou par eau.
Tableau des valeurs maximales autorisées
| Symbole | Désignation de la mesure | Limite maximale |
|---|---|---|
| Vces | Tension collecteur-émetteur max | 1200 V |
| Ic | Courant de collecteur continu (Tc=80°C) | 75 A |
| Vges | Tension émetteur-grille max | +/- 20 V |
| Tj | Température de jonction en fonctionnement | -40 à +150 °C |
Scénarios d'usage intensif
- Alimentation de secours pour centres de données
- Systèmes de traction électrique légère
- Chauffage par induction industriel
- Régulateurs de tension pour réseaux de distribution
Grâce à ses pertes par commutation extrêmement faibles, ce module permet d'augmenter la fréquence de travail de vos équipements. Le résultat direct est une réduction de la taille des filtres passifs associés, permettant de concevoir des armoires de commande plus compactes et plus légères.
